Новая микроволновая диэлектрическая керамика NiZrNb2O8 с низкими потерями была синтезирована с помощью обычного метода смешанных оксидов. Исследованы морфология, кристаллическая структура и микроволновые диэлектрические свойства. Он имеет моноклинную кристаллическую структуру вольфрамита с пространственной группой P2/c C4 2h. Энергия решетки была проведена для оценки структурной стабильности и характеристик спекания. Наблюдались два вида форм зерен в плотных образцах с одинаковым соотношением элементов. Изменения диэлектрической проницаемости (εr) анализировали по относительной плотности и поляризуемости с поправкой на пористость. Коэффициент качества (Q G) коррелировал с долей упаковки и ростом зерна. Температурный коэффициент резонанса (tG) зависел от диэлектрической проницаемости. Типичные микроволновые диэлектрические свойства NiZrNb2O8: εr = 23,77, QG = 40280 ГГц, tG = 27,5 м.д./°C, спекание при 1200°C.  1. Введение Микроволновая диэлектрическая керамика играет важную роль в разработке устройств беспроводной связи, таких как глобальные системы позиционирования (GPS), микроволновые передающие схемы, сотовые телефоны и интеллектуальные транспортные системы (ИТС) [1]. Недавняя революция в телекоммуникациях требует разработки разнообразных микроволновых диэлектрических керамических материалов [2,3]. Диэлектрическая керамика считается основным материалом в современных коммуникационных технологиях, для применения в микроволновом диапазоне необходимо выполнение трех требований: (1) высокая диэлектрическая проницаемость для миниатюризации (l = l0 = fi εr p, l — длина волны электромагнитного излучения). волны в диэлектрическом материале, l0 – длина волны электромагнитной волны в свободном пространстве), (2) низкие диэлектрические потери (или высокая добротность) для повышения отношения сигнал/шум, (3) близкий к нулю температурный коэффициент резонансного частоты для хорошей работы устройств в различных атмосферных условиях. Керамика формы ABNb2O8 вызвала большой интерес из-за ее преобладающих микроволновых диэлектрических свойств. Сообщалось о многочисленных исследованиях ATiNb2O8 с различными катионами, замещенными в A-сайте [4e7]. В последнее время большое внимание уделяется исследованиям по замещению Ti-позиции этих композиций [8-12]. Ляо и др. сообщили, что микроволновые диэлектрические свойства керамики ZnZrNb2O8 зависят от относительной плотности [9]. Затем Ченг и др. сообщили о керамике MgZrNb2O8 с высокими значениями QG [10]. В частности, Рамарао и др. в прошлом году сообщили о классе материалов AZrNb2O8 (A = Mn, Mg, Zn и Co) [11]. Однако было отмечено, что NiZrNb2O8 не учитывался в системе AZrNb2O8. Кроме того, ион Ni был важным членом двухвалентных ионов, которые часто использовались в качестве замены [13–15]. В настоящем исследовании мы сообщали о микроволновых диэлектрических свойствах керамики NiZrNb2O8, которая демонстрировала ту же кристаллическую структуру, что и керамика AZrNb2O8 (A = Mn, Mg, Zn и Co). NiZrNb2O8 обладал многообещающими микроволновыми диэлектрическими свойствами (εr = 23,77, Q G = 40280 ГГц, tG = 27,5 ppm/C) и низкой температурой спекания (Ts = 1200 C) в системе AZrNb2O8. …….  4. Вывод  Новая керамика NiZrNb2O8 с низкими диэлектрическими потерями была получена твердофазной реакцией и, как было обнаружено, обладает однофазной природой с моноклинной структурой вольфрамита, относящейся к пространственной группе P2/c ðC4 2hÞ. Энергия решетки была проведена для оценки структурной стабильности керамики NiZrNb2O8. В структуре поверхности плотных образцов наблюдались две формы зерен с близким химическим составом. Перспективными микроволновыми диэлектрическими свойствами были εr = 23,77, Q G = 40280 ГГц, tG = 27,5 ppm/C, спекание при 1200 C. Затем были рассчитаны относительная плотность и поляризуемость с поправкой на пористость для оценки диэлектрической проницаемости. В значениях Q G преобладали фракция упаковки и рост зерен. Значения tG коррелировали с диэлектрической проницаемостью.